转换效率。由于采用了非晶硅钝化技术和薄发射结技术，其技术对设备的要求苛刻。该公司目前已经在不同国家转让其技术和设备，据说设备成本非常昂贵。

        下图三，四分别显示了其典型的电池结构及AIST2009年的测试结果。

               图三：典型的HIT电池结构                                                                     图四：2009年7月日本AIST测试的最高HIT电池I-V参数

特点：电池高效，唯一工业化的利用非晶硅钝化的异质结电池；可做双面电池结构，做BIPV应用的话，组件外观漂亮，电池零衰减。由于非晶硅特点，需要研究其长期稳定性。 实际的薄膜工艺控制是难点。

4. 正面结N型电池（Fraunhofer ISE）：         
该电池工艺采用新的表面钝化技术（Al2O3）在N型硅片衬底上实现高效电池的制作。该电池采用Al2O3钝化发射结技术，实现23.9%