图3显示了J. R. Köhler在2009年Hamburg报告的研究结果，他利用激光技术，将硅片扩散后形成的PSG层作为杂质源进行掺杂处理，实现了SE电池的制作。实验对比结果显示SE电池比普通电池有0.5%效率的提升（表1）。
    

图3：各种激光掺杂PSG技术   表1：SE工艺与普通电池工艺制作电池效率的对比 （J. R. Köhler）

         此外，国内著名的上市公司STP制作的Pluto电池就是利用激光掺杂工艺，结合电镀工艺实现了高效电池的制作。在2009年官方消息发布了经德国Fraunhofer的太阳能系统研究所认证过的电池效率结果，单晶硅太阳能电池的转换效率达到18.8%，多晶硅电池达到17.2%。