3、Etching back技术，该技术利用腐蚀浆料将非掩膜区域进行刻蚀实现淡扩散区域的制备，具体工艺路线见图5。该图显示了Sch - mid公司如何利用Inkjet技术涂覆石蜡来保护实现金属接触的区域，如何对非接触区域利用化学溶液腐蚀和实现“浅”发射结的制备。据说业内已经有多名厂家在使用该成套设备，而且获得了单晶18.5%左右的效率。
          

图5：典型的Etching back技术（Schmid公司典型的工艺路线图）

特点：该工艺单多晶电池兼容，但石蜡的去除、原始方块电阻及结深的控制是技术难点；同时如何实现均匀腐蚀也是需要关注的地方，即刻蚀后电池的方块电阻的均匀性及批次的重复性。