图7及表2：Innovalight最新研究结果

5、CT公司SE工艺，CT公司采用了一种叫“一次扩散”的工艺，利用薄介质层做掩膜，将与电极接触的区域进行去掩膜处理，然后在扩散炉中，利用掩膜层对POCL3的局部阻挡效应，在电极区形成重掺杂区，在掩膜区形成轻掺杂区。

        图8显示了CT公司典型的SE工艺流程，该工艺流程较简单。据文献报道，该工艺已经获得了18.3%左右的电池转换效率。详细的I-V参数见表3。

特点：该电池工艺采用一次扩撒工艺，工艺简单，但是需要解决介质层的均匀性问题，以及如何匹配浓扩与淡扩散的关系，优化浓扩区开孔的尺寸。