技术工艺
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  需要特别指出的是,冷热循环实验需要对芯片的温度和通电时间进行精确的控制,然而事实上芯片的温度很难监控得到,特别是在通大电流的情况下,如图2所示,芯片封装到陶瓷-金属复合板上,陶瓷-金属复合板又安装在散热板上,通常只能检测到环测箱和散热板的温度。图3所示是太阳电池接收器(芯片尺寸10x10mm2)在通不同电流时,环测箱温度(oven)、散热器温度(heat sink)和电池芯片温度(cell)的差异,由图可见,在通有7A电流(约对应于500倍聚光下该电池产生的短路电流的1.25倍),太阳电池芯片实际温度高于环测箱温度约20℃.
  表1 聚光太阳电池热循环测试条件选项

 选项

 最高芯片温度

 循环总数

 电流条件

 TCA-1

 85°C

 1000

 每个温度周期内,在温度>25°C时,周期性施加1.25*Isc的电流10次

 TCA-2

 110°C

 500

 每个温度周期内,在温度>25°C时,周期性施加1.25*Isc的电流10次

 TCA-3

 65°C

 2000

 每个温度周期内,在温度>25°C时,周期性施加1.25*Isc的电流10次


图1 热循环测试的温度和电流示意图(非等比例)

图2 太阳电池接收器的冷热循环实验示意图