技术工艺
P18

  选用TCA-1热循环条件,芯片温度最高-45℃~85℃,分别在最高温度及最低温度处停留10分钟,一个循环大约需要78分钟;每个温度周期内,在温度>25℃时,周期性施加1.25*Isc(7A)的电流10次。表2为部分接收器在经过超过1000个热循环后的老化前后电性对比,电性测试使用脉冲聚光太阳模拟器,由于实验时间跨度时间较长,考虑到不同时间测试仪器本身的误差,本实验选取标准片作为监控,测试仪测量误差±5%。试验表明,聚光太阳电池芯片在经过1000个循环后电性总体衰减不明显,但划伤半导体及芯片大面积暗区的样品,其电性衰减较大;实验过程中,接收器出现绝缘胶裂开、DBC从铝板脱落、导线表皮收缩等,都是由于温度高于材料其本身所以承受的最高温度导致。
表-2 部分接收器在经过超过1000个热循环后的老化前后电性对比

 芯片编号

 老化前功率W

 老化后功率W

 衰减

 热循环次数

 SR2G09L0103750-(暗区)

 15.8322

 16.1500

 2.01%

 222~1051cycles

 SR2G09L0103797(暗区)

 15.2770

 14.8761

 -2.62%

 222~1051cycles

 SR2G09J0103682(划伤)

 16.4755

 16.2063

 -1.63%

 222~1051cycles

 SR2G09J0202191(划伤)

 16.2367

 16.4158

 1.10%

 222~1051cycles

 SR2G09L0203211(暗区)

 15.5062

 14.3636

 -7.37%

 222~1051cycles

 SR2G09K0203591(暗斑)

 15.3127

 15.4853

 1.13%

 222~1051cycles

 SR2G09L0203131(暗区)

 15.2887

 15.5980

 2.02%

 222~1051cycles

 SR2G09J0103700(轻划伤)

 15.9272

 16.0047

 0.49%

 222~1051cycles