技术工艺
P20

　　

　样品

　老化前功率（w）

　老化后功率(w) (((w)

　功率衰减

　老化时间时间

　SR2G09L0301352-浅伤半导体

　16.48932332

　15.18018799

　-7.94%

　1520H

　SR2G09L0301348-深划伤

　16.59802097

　15.11562747

　-8.93%

　1520H

　SR2G09L0403115-浅伤半导体

　16.34693053

　8.689719756

　-46.84%

　1520H

　SR2G09L0403164-浅伤半导体层

　16.35205814

　9.724628611

　-40.53%

　1520H

　SR2G09L0301609-深划伤

　16.24430782

　14.18179985

　-12.70%

　1520H

　SR2G09K0101178(良品）

　16.33178685　

　16.5127675

　1.11%

　1066H

　SR2G09L0302170(良品）

　16.2793828

　14.85542405

　-8.75%

　1066H

4  小结
　　本文对高倍聚光多结太阳电池的失效模型和加速老化实验方法进行研究，根据IEC62108标准关于聚光电池的可靠性要求，完成接收器亮灯测试问题样品（暗斑、半导体划伤、栅线缺失及金线缺失）和正常样品的加速老化实验。实验表明：正常太阳电池芯片本身寿命完全可以满足25年使用寿命，然而，接收器物料的耐候性需要系统的评估和老化试验，封装工艺将导致接收器使用寿命降低，特别是封装过程中密封或绝缘不过关将导致接收器芯片老化加速，另外，芯片工艺和封装工艺引入对太阳电池的人为损害也是接收器老化测试通不过的原因之一。