晶体硅电池可工业化技术分析和前瞻 (一)
近来传统晶体硅太阳能电池的技术开发水平大幅度提升，出现如STP的PLUTO电池，英利的PANDA电池，CSUN的SE电池，JA利用硅墨形成SE等已工业化技术。这些技术各有其优劣。这里不做详细评论，下面将探讨除上述电池结构外可工业化的电池结构或技术（资料来源于网络及文献）。
根据各国太阳能电池开发实验室及部分企业的研究成果，有如下几种技术具有潜在的发展：
1. 德国ISE的LFC (laser fired contact) PERC cells，该电池制作利用Nd:YAG激光烧蚀沉积在氧化硅或者氮化硅上面的薄膜铝金属，实现低串联电阻的欧姆接触。由于背面电池采用了点接触的结构，金属复合大幅度减少，背面电池的钝化性能大幅度增加。该技术解决了传统电池背面复合高的缺陷。利用这种技术在P型衬底上，该机构获得了21.6%的转换效率。
下图一显示了其典型的电池结构及不同基底材料LFC电池典型的I-V参数。
2. 背接触电池，该电池工艺利用光刻或精密丝网印刷技术，结合分区扩散工艺，实现电池背面PN结的形成。该电池背面金属电极呈手指形状，也有人称其为IBC电池，焊接位置位于边缘的6个接触点上。但是，由于该技术需要使用电镀工艺（Ni+Cu+Ag/Sn），该工艺技术的实现需要很强的技术势力。目前通过工艺的不断优化，在2010年SUNPOWER获得24.2%的最高工业化电池转换效率，刷
近来传统晶体硅太阳能电池的技术开发水平大幅度提升，出现如STP的PLUTO电池，英利的PANDA电池，CSUN的SE电池，JA利用硅墨形成SE等已工业化技术。这些技术各有其优劣。这里不做详细评论，下面将探讨除上述电池结构外可工业化的电池结构或技术（资料来源于网络及文献）。
根据各国太阳能电池开发实验室及部分企业的研究成果，有如下几种技术具有潜在的发展：
1. 德国ISE的LFC (laser fired contact) PERC cells，该电池制作利用Nd:YAG激光烧蚀沉积在氧化硅或者氮化硅上面的薄膜铝金属，实现低串联电阻的欧姆接触。由于背面电池采用了点接触的结构，金属复合大幅度减少，背面电池的钝化性能大幅度增加。该技术解决了传统电池背面复合高的缺陷。利用这种技术在P型衬底上，该机构获得了21.6%的转换效率。
下图一显示了其典型的电池结构及不同基底材料LFC电池典型的I-V参数。
图一： ISE典型的LFC电池结构 表一：不同基底材料LFC电池的典型
2. 背接触电池，该电池工艺利用光刻或精密丝网印刷技术，结合分区扩散工艺，实现电池背面PN结的形成。该电池背面金属电极呈手指形状，也有人称其为IBC电池，焊接位置位于边缘的6个接触点上。但是，由于该技术需要使用电镀工艺（Ni+Cu+Ag/Sn），该工艺技术的实现需要很强的技术势力。目前通过工艺的不断优化，在2010年SUNPOWER获得24.2%的最高工业化电池转换效率，刷
22