但由于工艺的限制或成本太高等原因，以上措施除 (1) 之外很少有应用到生产中。现在，使用主流硅片厂商提供的原料制成的电池片，初期衰减率一般在 -2.5% 以内。

4、结论

　　目前，有些企业对电池片按效率分档，且对来自不同生产线的电池片采取混线封装的形式。从我们的实验结果来看，这是一个比较合理的方式。电流失配损耗，在这种封装方式中并未有明显的体现。

　　玻璃和EVA由于透光率的限制，会给组件带来光学损耗。目前，行业内对这个问题还缺少性价比合适的可靠的解决方法。

　　串联电阻损耗会增加组件封装功率损失。与电池片正背面电极连接的焊带电阻、连接电池串的汇流条电阻、接线盒电阻，以及 I-V 测试台连线回路中的导线电阻等，都会影响到组件的串联电阻。降低任何一部分的电阻，都能降低组件的串联电阻Rs，从而提高组件填充因子FF，减少功率损失。

　　焊带电阻主要由焊带本身的尺寸规格和铜基材的材质决定，表面涂锡层的成分不会明显影响焊带电阻。增加焊带宽度或者厚度，能降低焊带电阻。这种改善无论是对于传统的焊接方式，还是新型的导电银胶或者导电胶带连接等低温连接方式，都能起到同样作用。但宽于正面电极宽度的焊带会遮挡入射光，引起电流损耗。我们推荐在不影响碎片率的前提下，使用较厚的焊带。

　　汇流条不与电池片接触，没有遮光损失的影响。可以通过增加其宽度或厚度来降低它的电阻率。

　　增加汇流条和接线盒铜排的有效接触、使用低电阻率的铜排和导线，都能降低接线盒的电阻。

　　I-V测试台连线回路中的导线电阻，会影响测试结果。在组件工厂里，应定时检查测试回路中的连接导线。

　　为减少光致衰减的影响，电池片在I-V测试后至组件封装前这段时间内，应尽量避免暴露在强光下。现在，使用主流硅片厂商提供的原料制成的电池片，初期衰减率一般在 -2.5% 以内。

参考文献
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