技术工艺
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厂使用的 I- V 测试台,转接线会因使用时间较长而老化导致电阻变大。这会造成测试结果偏离真实值。而转接线与测试台的鳄鱼夹接触是否良好,更直接影响了测试的稳定性。

表11 不同测试转接线对测试结果的影响

3.5 光致衰减

3.5.1 基本电性能参数的变化

  我们先来系统比较一下光照衰减前后电池片的几个主要电学参数,开路电压 Voc,短路电流 Isc,填充因子 FF 和转换效率 Eff 的变化。由图12可以明显看出,电池片转换效率 Eff 的降低,主要是由短路电流 Isc 的减小引起的。光照产生的载流子,使电池片体内形成硼氧复合中心,引起少子复合,最终导致了短路电流的减小。


图12 Voc,Isc,FFE随光照时间的变化

3.5.2 减少光致衰减

  研究指出,光致衰减现象只存在于同时含有替位硼和间隙氧的硅太阳电池中[17]。所以,为了避免或减少衰减,可以从原料入手,考虑以下方法:

1. 改进掺硼p型Cz硅棒的质量,降低氧杂质的含量。
2. 利用磁控直拉硅单晶工艺 (MCz) 改进单晶硅棒的质量。
3.利用区熔单晶硅工艺 (FZ) 改进单晶硅棒产品质量。
4. 改变掺杂剂,用镓代替硼。
5. 使用掺磷的n型硅片代替掺硼的p型硅片。