图一：干氧氧化和湿氧氧化生长薄膜厚度随时间和温度变化曲线
表1显示了ISE利用上述两种氧化工艺制作成的LFC电池各电性能参数的差异（图二）；干氧养护与湿氧氧化工艺之间Voc有2mV以上的差距，电性能有0.4%效率的差异。对于普通电池，效率的差异可能会更大。

图二：ISE的LFC电池的结构

表一：不同背表面钝化技术LFC电池参数

2.氮化硅及其叠层钝化技术
　　大约在2002年，随着晶体硅太阳能电池在国内的大规模建设，尚德公司开始利用R&R公司提供的PECVD批量化生产氮化硅钝化的单多晶电池。由于氮化硅薄膜沉积技术具有沉积速度快、温度低（350-400度）、膜致密、钝化性能好等特点。其光学性能（折射率：1.9-2.3）比氧化硅较优（折射率：约1.46）。不同于氧化硅生长“吃硅”过程，氮化硅生长是利用外界的薄膜沉积技术，通过等离子的作用沉积一层薄膜。目前业内基本都在使用氮化硅作为表面钝化和减反技术（光学性能和电学性能）。从表二可看出，氮化硅的钝化性能比氧化硅的要差。