1. 　

   图七：不同钝化膜硅片的有效表面复合速度

   线显示了将近100%的曲线，说明了氧化铝良好的钝化性能。通过对比不同钝化膜的有效表面复合速度可以看出，氧化铝具有良好的P型面钝化性能。但是，从电性能参数对比可以发现，氧化铝钝化的电池获得与热氧化和氧化铝/氧化硅叠层薄膜相接近的电性能，这一点说明该技术需要进一步发展。但是考虑到氧化铝有高达E+13的负电荷（氮化硅，氧化硅都是正电荷），该技术在P型面的钝化是其它技术无与伦比的，该技术发展潜力之巨大。此外。目前该技术已经有量产的机台。

表六：不同钝化膜钝化P型PERC电池电性能参数

4.非晶硅及叠层非晶硅钝化技术；
　　关于非晶硅表面钝化技术，相信大家都已经有所了解，该技术主要来源于日本的SANYO公司，该公司利用薄膜沉积技术，实现了高效率N型电池的制作，获得了业内最高的Voc，该电池结构及技术优势已经在前面的专刊中提及，这里将不在重复。下面将主要分析非晶硅薄膜在ISFH晶硅电池的应用。该所研究人员利用PECVD在225度将10纳米厚的非晶硅薄膜沉积在P型硅片表面，然后双面沉积60纳米后的氮化硅层，通过该结构不同温度的退火性能，图七显示了该叠层薄膜分别在500度和600度退火后的有效表面复合速度，10cm/s的表面复合速度是目前工业电池很难获得的，充分说了非晶硅薄膜的优良钝化性能。目前，已经有机构研究用该技术代替氮化硅技术，将其应用于晶体硅电池。